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型号 MCH6601-TL-E
厂商 ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6
MCH6601-TL-E PDF
代理商 MCH6601-TL-E
标准包装 3,000
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 10.4 欧姆 @ 50mA，4V
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 7.5pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD，无引线
供应商设备封装 6-MCPH
包装 带卷 (TR)
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